芯片详情：

产品属性 属性值 选择属性
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极大电压 VCEO: 40 V
集电极—基极电压 VCBO: 60 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V
大直流电集电极电流: 200 mA
Pd-功率耗散: 227 mW
增益带宽产品fT: 300 MHz
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
系列: MMBT3904
商标: Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min: 40 at 100 uA, 1 V
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
子类别: Transistors
技术: Si

型号：MMBT3904SL

类型：双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

深圳市腾桩电子有限公司为电子元器件供应服务商，致力于芯片代理、推广、销售及方案，产品应用于温控、电力系统自动化产品、交换机、网络通讯、工业控制、仪器仪表、汽车医疗、储能，消费类电子等行业！

近百家原厂提供强大的渠道支持，建立了长期、稳定的战略合作关系，为了满足广大客户的即时和长期需求，深圳和香港等地设立庞大仓储；凭借良好周到的服务，赢得众多客户的高度认可。公司设立团队全程参与跟进，满足客户特殊化定制要求！

   我司拥有多年的厂家配套经验，承接各类客户生产需求的采购货单配套，诚实守信，欢迎来电咨询！我们都以100％的热情为您真诚服务。

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制造商: Diodes Incorporated
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极大电压 VCEO: 40 V
集电极—基极电压 VCBO: 60 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V
大直流电集电极电流: 200 mA
Pd-功率耗散: 227 mW
增益带宽产品fT: 300 MHz
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
系列: MMBT3904
商标: Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min: 40 at 100 uA, 1 V
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
子类别: Transistors
技术: Si