型号：FDN361AN

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型号：FDN361AN

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型号：FDN361AN

型号：FDN361AN

产品属性 属性值 选择属性
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SSOT-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 1.8 A
Rds On-漏源导通电阻: 72 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 500 mW
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降时间: 11 ns
正向跨导 - 小值: 5 S
高度: 1.12 mm
长度: 2.9 mm
产品: MOSFET Small Signal
产品类型: MOSFET
上升时间: 11 ns
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 7 ns
典型接通延迟时间: 3 ns
宽度: 1.4 mm
零件号别名: FDN361AN_NL
单位重量: 30 mg

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