芯片详情：

产品属性 属性值 选择属性
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-262-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 80 A
Rds On-漏源导通电阻: 7.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 310 W
通道模式: Enhancement
系列: FDI3632
封装: Tube
商标: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降时间: 46 ns
高度: 7.88 mm
长度: 10.29 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 39 ns
50
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 96 ns
典型接通延迟时间: 30 ns
宽度: 4.83 mm
单位重量: 2.387 g

型号：FDI3632

类型：MOSFET

深圳市腾桩电子有限公司为电子元器件供应服务商，致力于芯片代理、推广、销售及方案，产品应用于温控、电力系统自动化产品、交换机、网络通讯、工业控制、仪器仪表、汽车医疗、储能，消费类电子等行业！

近百家原厂提供强大的渠道支持，建立了长期、稳定的战略合作关系，为了满足广大客户的即时和长期需求，深圳和香港等地设立庞大仓储；凭借良好周到的服务，赢得众多客户的高度认可。公司设立团队全程参与跟进，满足客户特殊化定制要求！

   我司拥有多年的厂家配套经验，承接各类客户生产需求的采购货单配套，诚实守信，欢迎来电咨询！我们都以100％的热情为您真诚服务。

芯片详情：

产品属性 属性值 选择属性
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-262-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 80 A
Rds On-漏源导通电阻: 7.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 310 W
通道模式: Enhancement
系列: FDI3632
封装: Tube
商标: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降时间: 46 ns
高度: 7.88 mm
长度: 10.29 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 39 ns
50
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 96 ns
典型接通延迟时间: 30 ns
宽度: 4.83 mm
单位重量: 2.387 g