型号：FDPF8N50NZU

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型号：FDPF8N50NZU

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型号：FDPF8N50NZU

型号：FDPF8N50NZU

产品属性 属性值 选择属性
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 6.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 1 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 25 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 5 V
Qg-栅极电荷: 14 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 40 W
通道模式: Enhancement
商标名: UniFET FRFET
系列: FDPF8N50NZU
封装: Tube
商标: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降时间: 27 ns
正向跨导 - 小值: 6.3 S
高度: 16.07 mm
长度: 10.36 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 34 ns
1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: N-Channel MOSFET
典型关闭延迟时间: 43 ns
典型接通延迟时间: 17 ns
宽度: 4.9 mm
单位重量: 2 g

型号：FDPF8N50NZU